2SC6026MFV-Y,L3F | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation 2SC6026MFV-Y,L3F

2SC6026MFV-Y,L3F

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Número de parte	2SC6026MFV-Y,L3F
LIXINC Part #	2SC6026MFV-Y,L3F
Fabricante	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoría	semiconductor discreto › transistores - bipolar (bjt) - simple
Descripción	NPN TRANSISTOR VCEO50V IC0.15A H
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	2SC6026MFV-Y,L3F Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 09 - Oct 13 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

2SC6026MFV-Y,L3F Especificaciones

Número de parte:	2SC6026MFV-Y,L3F
Marca:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - bipolar (bjt) - simple
Fabricante:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de transistor:	NPN
corriente - colector (ic) (max):	150 mA
voltaje - ruptura del emisor del colector (max):	50 V
saturación vce (máx.) @ ib, ic:	250mV @ 10mA, 100mA
corriente - corte del colector (máx.):	100nA (ICBO)
ganancia de corriente CC (hfe) (min) @ ic, vce:	120 @ 2mA, 6V
potencia - máx.:	150 mW
frecuencia - transición:	60MHz
Temperatura de funcionamiento:	150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	SOT-723
paquete de dispositivos del proveedor:	VESM

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