BDT61B-S | J.W. Miller / Bourns BDT61B-S | BDT61B-S Inventory, Best Pricing

BDT61B-S

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Número de parte	BDT61B-S
LIXINC Part #	BDT61B-S
Fabricante	J.W. Miller / Bourns
Categoría	semiconductor discreto › transistores - bipolar (bjt) - simple
Descripción	TRANS NPN DARL 100V 4A
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	BDT61B-S Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 08 - Oct 12 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

BDT61B-S Especificaciones

Número de parte:	BDT61B-S
Marca:	J.W. Miller / Bourns
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - bipolar (bjt) - simple
Fabricante:	J.W. Miller / Bourns
serie:	-
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de transistor:	NPN - Darlington
corriente - colector (ic) (max):	4 A
voltaje - ruptura del emisor del colector (max):	100 V
saturación vce (máx.) @ ib, ic:	2.5V @ 6mA, 1.5A
corriente - corte del colector (máx.):	500µA
ganancia de corriente CC (hfe) (min) @ ic, vce:	750 @ 1.5A, 3V
potencia - máx.:	2 W
frecuencia - transición:	-
Temperatura de funcionamiento:	-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete / caja:	TO-220-3
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-220