2SB1457(TE6,F,M) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation 2SB1457(TE6,F,M)

2SB1457(TE6,F,M)

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Número de parte	2SB1457(TE6,F,M)
LIXINC Part #	2SB1457(TE6,F,M)
Fabricante	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoría	semiconductor discreto › transistores - bipolar (bjt) - simple
Descripción	TRANS PNP 2A 100V TO226-3
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	2SB1457(TE6,F,M) Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 10 - Oct 14 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

2SB1457(TE6,F,M) Especificaciones

Número de parte:	2SB1457(TE6,F,M)
Marca:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - bipolar (bjt) - simple
Fabricante:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:	-
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de transistor:	PNP
corriente - colector (ic) (max):	2 A
voltaje - ruptura del emisor del colector (max):	100 V
saturación vce (máx.) @ ib, ic:	1.5V @ 1mA, 1A
corriente - corte del colector (máx.):	10µA (ICBO)
ganancia de corriente CC (hfe) (min) @ ic, vce:	2000 @ 1A, 2V
potencia - máx.:	900 mW
frecuencia - transición:	50MHz
Temperatura de funcionamiento:	150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete / caja:	TO-226-3, TO-92-3 Long Body
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-92MOD

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