2SD2406-Y(F) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation 2SD2406-Y(F)

2SD2406-Y(F)

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Número de parte	2SD2406-Y(F)
LIXINC Part #	2SD2406-Y(F)
Fabricante	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoría	semiconductor discreto › transistores - bipolar (bjt) - simple
Descripción	TRANS NPN 80V 4A TO220NIS
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	2SD2406-Y(F) Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 10 - Oct 14 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

2SD2406-Y(F) Especificaciones

Número de parte:	2SD2406-Y(F)
Marca:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - bipolar (bjt) - simple
Fabricante:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:	-
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de transistor:	NPN
corriente - colector (ic) (max):	4 A
voltaje - ruptura del emisor del colector (max):	80 V
saturación vce (máx.) @ ib, ic:	1.5V @ 300mA, 3A
corriente - corte del colector (máx.):	30µA (ICBO)
ganancia de corriente CC (hfe) (min) @ ic, vce:	120 @ 500mA, 5V
potencia - máx.:	25 W
frecuencia - transición:	8MHz
Temperatura de funcionamiento:	150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete / caja:	TO-220-3 Full Pack
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-220NIS