2SB1481(TOJS,Q,M) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation 2SB1481(TOJS,Q,M) | 2SB1481(TOJS,Q,M) Inventory, Best Pricing

2SB1481(TOJS,Q,M)

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Número de parte	2SB1481(TOJS,Q,M)
LIXINC Part #	2SB1481(TOJS,Q,M)
Fabricante	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoría	semiconductor discreto › transistores - bipolar (bjt) - simple
Descripción	TRANS PNP 4A 100V TO220-3
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	2SB1481(TOJS,Q,M) Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

2SB1481(TOJS,Q,M) Especificaciones

Número de parte:	2SB1481(TOJS,Q,M)
Marca:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - bipolar (bjt) - simple
Fabricante:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:	-
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de transistor:	PNP
corriente - colector (ic) (max):	4 A
voltaje - ruptura del emisor del colector (max):	100 V
saturación vce (máx.) @ ib, ic:	1.5V @ 6mA, 3A
corriente - corte del colector (máx.):	2µA (ICBO)
ganancia de corriente CC (hfe) (min) @ ic, vce:	2000 @ 3A, 2V
potencia - máx.:	2 W
frecuencia - transición:	-
Temperatura de funcionamiento:	150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete / caja:	TO-220-3 Full Pack
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-220NIS