2SA1020-Y(6MBH1,AF | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation 2SA1020-Y(6MBH1,AF | 2SA1020-Y(6MBH1,AF Inventory, Best Pricing

2SA1020-Y(6MBH1,AF

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	2SA1020-Y(6MBH1,AF
LIXINC Part #	2SA1020-Y(6MBH1,AF
Fabricante	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoría	semiconductor discreto › transistores - bipolar (bjt) - simple
Descripción	TRANS PNP 2A 50V TO226-3
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	2SA1020-Y(6MBH1,AF Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

2SA1020-Y(6MBH1,AF Especificaciones

Número de parte:	2SA1020-Y(6MBH1,AF
Marca:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - bipolar (bjt) - simple
Fabricante:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:	-
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de transistor:	PNP
corriente - colector (ic) (max):	2 A
voltaje - ruptura del emisor del colector (max):	50 V
saturación vce (máx.) @ ib, ic:	500mV @ 50mA, 1A
corriente - corte del colector (máx.):	1µA (ICBO)
ganancia de corriente CC (hfe) (min) @ ic, vce:	70 @ 500mA, 2V
potencia - máx.:	900 mW
frecuencia - transición:	100MHz
Temperatura de funcionamiento:	150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete / caja:	TO-226-3, TO-92-3 Long Body
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-92MOD