2SA1162S-GR,LF(D | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation 2SA1162S-GR,LF(D

2SA1162S-GR,LF(D

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Número de parte	2SA1162S-GR,LF(D
LIXINC Part #	2SA1162S-GR,LF(D
Fabricante	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoría	semiconductor discreto › transistores - bipolar (bjt) - simple
Descripción	TRANSISTOR PNP 50V 150MA S-MINI
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	2SA1162S-GR,LF(D Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

2SA1162S-GR,LF(D Especificaciones

Número de parte:	2SA1162S-GR,LF(D
Marca:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - bipolar (bjt) - simple
Fabricante:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de transistor:	PNP
corriente - colector (ic) (max):	150 mA
voltaje - ruptura del emisor del colector (max):	50 V
saturación vce (máx.) @ ib, ic:	300mV @ 10mA, 100mA
corriente - corte del colector (máx.):	100nA (ICBO)
ganancia de corriente CC (hfe) (min) @ ic, vce:	70 @ 2mA, 6V
potencia - máx.:	150 mW
frecuencia - transición:	80MHz
Temperatura de funcionamiento:	125°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
paquete de dispositivos del proveedor:	S-Mini