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MJE801STU

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Número de parte MJE801STU
LIXINC Part # MJE801STU
Fabricante Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoría semiconductor discreto › transistores - bipolar (bjt) - simple
Descripción TRANS NPN DARL 60V 4A TO126
Ciclo vital Activo
RoHS Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD MJE801STU Huella y símbolo de PCB
Almacenes Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Envío DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

MJE801STU Especificaciones

Número de parte:MJE801STU
Marca:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vital:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoría:semiconductor discreto
Subcategoría:transistores - bipolar (bjt) - simple
Fabricante:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:-
paquete:Tube
estado de la pieza:Obsolete
tipo de transistor:NPN - Darlington
corriente - colector (ic) (max):4 A
voltaje - ruptura del emisor del colector (max):60 V
saturación vce (máx.) @ ib, ic:2.8V @ 40mA, 2A
corriente - corte del colector (máx.):100µA
ganancia de corriente CC (hfe) (min) @ ic, vce:750 @ 2A, 3V
potencia - máx.:40 W
frecuencia - transición:-
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
paquete / caja:TO-225AA, TO-126-3
paquete de dispositivos del proveedor:TO-126-3

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