BSM180D12P3C007 | ROHM Semiconductor BSM180D12P3C007 | BSM180D12P3C007 Inventory, Best Pricing

BSM180D12P3C007

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Número de parte	BSM180D12P3C007
LIXINC Part #	BSM180D12P3C007
Fabricante	ROHM Semiconductor
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - arreglos
Descripción	SIC POWER MODULE
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	BSM180D12P3C007 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

BSM180D12P3C007 Especificaciones

Número de parte:	BSM180D12P3C007
Marca:	ROHM Semiconductor
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - arreglos
Fabricante:	ROHM Semiconductor
serie:	-
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	2 N-Channel (Dual)
característica fet:	Silicon Carbide (SiC)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	1200V (1.2kV)
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	180A (Tc)
rds en (máx.) @ id, vgs:	-
vgs(th) (máx) @ id:	5.6V @ 50mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	-
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	900pF @ 10V
potencia - máx.:	880W
Temperatura de funcionamiento:	175°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	Module
paquete de dispositivos del proveedor:	Module

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