SSM6N43FU,LF | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation SSM6N43FU,LF

SSM6N43FU,LF

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Número de parte	SSM6N43FU,LF
LIXINC Part #	SSM6N43FU,LF
Fabricante	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - arreglos
Descripción	MOSFET 2N-CH 20V 0.5A US6
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	SSM6N43FU,LF Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

SSM6N43FU,LF Especificaciones

Número de parte:	SSM6N43FU,LF
Marca:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - arreglos
Fabricante:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	2 N-Channel (Dual)
característica fet:	Logic Level Gate, 1.5V Drive
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	20V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	500mA
rds en (máx.) @ id, vgs:	630mOhm @ 200mA, 5V
vgs(th) (máx) @ id:	1V @ 1mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	1.23nC @ 4V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	46pF @ 10V
potencia - máx.:	200mW
Temperatura de funcionamiento:	150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
paquete de dispositivos del proveedor:	US6

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