BSC072N03LDGATMA1 | IR (Infineon Technologies) BSC072N03LDGATMA1 | BSC072N03LDGATMA1 Inventory, Best Pricing

BSC072N03LDGATMA1

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Número de parte	BSC072N03LDGATMA1
LIXINC Part #	BSC072N03LDGATMA1
Fabricante	IR (Infineon Technologies)
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - arreglos
Descripción	MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	BSC072N03LDGATMA1 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 25 - Sep 29 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

BSC072N03LDGATMA1 Especificaciones

Número de parte:	BSC072N03LDGATMA1
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - arreglos
Fabricante:	IR (Infineon Technologies)
serie:	OptiMOS™
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de feto:	2 N-Channel (Dual)
característica fet:	Logic Level Gate
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	30V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	11.5A
rds en (máx.) @ id, vgs:	7.2mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	2.2V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	41nC @ 10V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	3500pF @ 15V
potencia - máx.:	57W
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	8-PowerVDFN
paquete de dispositivos del proveedor:	PG-TDSON-8-4