SI4200DY-T1-GE3 | Vishay / Siliconix SI4200DY-T1-GE3 | SI4200DY-T1-GE3 Inventory, Best Pricing

SI4200DY-T1-GE3

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Número de parte	SI4200DY-T1-GE3
LIXINC Part #	SI4200DY-T1-GE3
Fabricante	Vishay / Siliconix
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - arreglos
Descripción	MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	SI4200DY-T1-GE3 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 25 - Sep 29 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

SI4200DY-T1-GE3 Especificaciones

Número de parte:	SI4200DY-T1-GE3
Marca:	Vishay / Siliconix
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - arreglos
Fabricante:	Vishay / Siliconix
serie:	TrenchFET®
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de feto:	2 N-Channel (Dual)
característica fet:	Logic Level Gate
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	25V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	8A
rds en (máx.) @ id, vgs:	25mOhm @ 7.3A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	2.2V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	12nC @ 10V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	415pF @ 13V
potencia - máx.:	2.8W
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
paquete de dispositivos del proveedor:	8-SO