FDMS3660S-F121 | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FDMS3660S-F121

FDMS3660S-F121

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Número de parte	FDMS3660S-F121
LIXINC Part #	FDMS3660S-F121
Fabricante	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - arreglos
Descripción	MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	FDMS3660S-F121 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 26 - Sep 30 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

FDMS3660S-F121 Especificaciones

Número de parte:	FDMS3660S-F121
Marca:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - arreglos
Fabricante:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:	PowerTrench®
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de feto:	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
característica fet:	Logic Level Gate
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	30V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	13A, 30A
rds en (máx.) @ id, vgs:	8mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	2.7V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	29nC @ 10V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	1765pF @ 15V
potencia - máx.:	1W
Temperatura de funcionamiento:	-
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	8-PowerTDFN
paquete de dispositivos del proveedor:	Power56