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PMWD19UN,518

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Número de parte	PMWD19UN,518
LIXINC Part #	PMWD19UN,518
Fabricante	NXP Semiconductors
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - arreglos
Descripción	MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	PMWD19UN,518 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 26 - Sep 30 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

PMWD19UN,518 Especificaciones

Número de parte:	PMWD19UN,518
Marca:	NXP Semiconductors
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - arreglos
Fabricante:	NXP Semiconductors
serie:	TrenchMOS™
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de feto:	2 N-Channel (Dual)
característica fet:	Logic Level Gate
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	30V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	5.6A
rds en (máx.) @ id, vgs:	23mOhm @ 3.5A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id:	700mV @ 1mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	28nC @ 5V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	1478pF @ 10V
potencia - máx.:	2.3W
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
paquete de dispositivos del proveedor:	8-TSSOP