SP8M10FU6TB | ROHM Semiconductor SP8M10FU6TB | SP8M10FU6TB Inventory, Best Pricing

SP8M10FU6TB

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	SP8M10FU6TB
LIXINC Part #	SP8M10FU6TB
Fabricante	ROHM Semiconductor
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - arreglos
Descripción	MOSFET N/P-CH 30V 7A/4.5A 8SOIC
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	SP8M10FU6TB Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 26 - Sep 30 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

SP8M10FU6TB Especificaciones

Número de parte:	SP8M10FU6TB
Marca:	ROHM Semiconductor
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - arreglos
Fabricante:	ROHM Semiconductor
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de feto:	N and P-Channel
característica fet:	Logic Level Gate
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	30V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	7A, 4.5A
rds en (máx.) @ id, vgs:	24mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	2.5V @ 1mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	11.8nC @ 5V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	600pF @ 10V
potencia - máx.:	2W
Temperatura de funcionamiento:	150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
paquete de dispositivos del proveedor:	8-SOP