PMGD8000LN,115 | NXP Semiconductors PMGD8000LN,115 | PMGD8000LN,115 Inventory, Best Pricing

PMGD8000LN,115

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Número de parte	PMGD8000LN,115
LIXINC Part #	PMGD8000LN,115
Fabricante	NXP Semiconductors
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - arreglos
Descripción	MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	PMGD8000LN,115 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

PMGD8000LN,115 Especificaciones

Número de parte:	PMGD8000LN,115
Marca:	NXP Semiconductors
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - arreglos
Fabricante:	NXP Semiconductors
serie:	TrenchMOS™
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de feto:	2 N-Channel (Dual)
característica fet:	Logic Level Gate
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	30V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	125mA
rds en (máx.) @ id, vgs:	8Ohm @ 10mA, 4V
vgs(th) (máx) @ id:	1.5V @ 100µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	0.35nC @ 4.5V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	18.5pF @ 5V
potencia - máx.:	200mW
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete / caja:	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
paquete de dispositivos del proveedor:	6-TSSOP