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WP2806015UH

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Número de parte	WP2806015UH
LIXINC Part #	WP2806015UH
Fabricante
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - rf
Descripción	RF GAN HEMT 28V DC ~ 6GHZ,15W
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	WP2806015UH Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 11 - Sep 15 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

WP2806015UH Especificaciones

Número de parte:	WP2806015UH
Marca:
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - rf
Fabricante:
serie:	-
paquete:	Box
estado de la pieza:	Active
tipo de transistor:	GaN HEMT
frecuencia:	6GHz
ganar:	11.6dB
voltaje - prueba:	28 V
clasificación actual (amperios):	-
figura de ruido:	-
corriente - prueba:	150 mA
Salida de potencia:	8W
voltaje - nominal:	160 V
paquete / caja:	360BH
paquete de dispositivos del proveedor:	360BH

MRF150	FET RF 125V 150MHZ 211-11	825 Más sobre el pedido
MRF1550NT1	RF VERY HIGH FREQUENCY BAND, N-C	919 Más sobre el pedido
BF909,215	MOSFET N-CH 7V 40MA SOT143	3776 Más sobre el pedido
CPH6320-TL-E	PCH 1.8V DRIVE SERIES	60808 Más sobre el pedido
BLA8G1011LS-300U	RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502B	914 Más sobre el pedido
UF28100H	MOSFET 100W 28V 100-500MHZ	881 Más sobre el pedido
CGH21240F	GAN HEMT 28V 1.8-2.1GHZ	855 Más sobre el pedido
BLS6G3135-20,112	RF FET LDMOS 60V 15.5DB SOT608A	826 Más sobre el pedido
BLC10G18XS-551AVZ	BLC10G22XS-551AV/SOT1258/TRAYDP	986 Más sobre el pedido
MMRF1009HSR5	FET RF 110V 1.03GHZ NI-780S	961 Más sobre el pedido
AFV141KHR5	IC TRANS RF LDMOS	860 Más sobre el pedido
MRF8S9170NR3	RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N-	2710 Más sobre el pedido
BLF6G10LS-200RN:11	RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502B	957 Más sobre el pedido