BLC8G27LS-180AVZ | Ampleon BLC8G27LS-180AVZ | BLC8G27LS-180AVZ Inventory, Best Pricing

BLC8G27LS-180AVZ

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Número de parte	BLC8G27LS-180AVZ
LIXINC Part #	BLC8G27LS-180AVZ
Fabricante	Ampleon
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - rf
Descripción	RF FET LDMOS 65V 14DB SOT12753
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	BLC8G27LS-180AVZ Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 15 - Sep 19 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

BLC8G27LS-180AVZ Especificaciones

Número de parte:	BLC8G27LS-180AVZ
Marca:	Ampleon
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - rf
Fabricante:	Ampleon
serie:	-
paquete:	Tray
estado de la pieza:	Active
tipo de transistor:	LDMOS (Dual), Common Source
frecuencia:	2.5GHz ~ 2.69GHz
ganar:	14dB
voltaje - prueba:	28 V
clasificación actual (amperios):	-
figura de ruido:	-
corriente - prueba:	200 mA
Salida de potencia:	28W
voltaje - nominal:	65 V
paquete / caja:	SOT1275-3
paquete de dispositivos del proveedor:	DFM6

ART2K0FEU	ART2K0FE/SOT539/TRAY	1169 Más sobre el pedido
CG2H40010F	RF MOSFET HEMT 28V 440166	1611 Más sobre el pedido
MCH6415-TL-E	NCH 1.8V DRIVE SERIES	9928 Más sobre el pedido
MRF8S21120HSR3	RF S BAND, N-CHANNEL	1331 Más sobre el pedido
MRF8P8300HSR6	FET RF 2CH 70V 820MHZ NI1230S	845 Más sobre el pedido
CGHV40100P	RF MOSFET HEMT 50V 440206	924 Más sobre el pedido
GTVA123501FA-V1	350W GAN HEMT, 50V, 1.2-1.4GHZ	869 Más sobre el pedido
MRF1511NT1	RF VERY HIGH FREQUENCY BAND, N-C	932 Más sobre el pedido
BLF8G20LS-160VU	RF FET LDMOS 65V 20DB SOT1239B	990 Más sobre el pedido
BLC2425M10LS250Z	BLC2425M10LS250/SOT1273/TRAYDP	1116 Más sobre el pedido
2SK772E	N-CHANNEL JUNCTION SILICON FET	38432 Más sobre el pedido
MMBFJ310LT1	RF N-CHANNEL, JUNCTION FET	3935 Más sobre el pedido
MRF5S21045NBR1	FET RF 68V 2.12GHZ TO272-4	887 Más sobre el pedido