NE5550779A-T1-A

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Número de parte	NE5550779A-T1-A
LIXINC Part #	NE5550779A-T1-A
Fabricante	Rochester Electronics
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - rf
Descripción	RF POWER N-CHANNEL, MOSFET
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	NE5550779A-T1-A Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 20 - Sep 24 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

NE5550779A-T1-A Especificaciones

Número de parte:	NE5550779A-T1-A
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - rf
Fabricante:	Rochester Electronics
serie:	-
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de transistor:	LDMOS
frecuencia:	900MHz
ganar:	22dB
voltaje - prueba:	7.5 V
clasificación actual (amperios):	2.1A
figura de ruido:	-
corriente - prueba:	140 mA
Salida de potencia:	38.5dBm
voltaje - nominal:	30 V
paquete / caja:	4-SMD, Flat Leads
paquete de dispositivos del proveedor:	79A

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