3SK293(TE85L,F)

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Número de parte	3SK293(TE85L,F)
LIXINC Part #	3SK293(TE85L,F)
Fabricante	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - rf
Descripción	FET RF 12.5V 800MHZ USQ
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	3SK293(TE85L,F) Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 21 - Sep 25 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

3SK293(TE85L,F) Especificaciones

Número de parte:	3SK293(TE85L,F)
Marca:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - rf
Fabricante:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de transistor:	N-Channel Dual Gate
frecuencia:	800MHz
ganar:	22dB
voltaje - prueba:	6 V
clasificación actual (amperios):	30mA
figura de ruido:	2.5dB
corriente - prueba:	10 mA
Salida de potencia:	-
voltaje - nominal:	12.5 V
paquete / caja:	SC-82A, SOT-343
paquete de dispositivos del proveedor:	USQ

3SK293(TE85L,F) Documentos

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