2SJ266-DL-E | Rochester Electronics 2SJ266-DL-E | 2SJ266-DL-E Inventory, Best Pricing

2SJ266-DL-E

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	2SJ266-DL-E
LIXINC Part #	2SJ266-DL-E
Fabricante	Rochester Electronics
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - rf
Descripción	PCH 4V DRIVE SERIES
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	2SJ266-DL-E Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 21 - Sep 25 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

2SJ266-DL-E Especificaciones

Número de parte:	2SJ266-DL-E
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - rf
Fabricante:	Rochester Electronics
serie:	*
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Active
tipo de transistor:	-
frecuencia:	-
ganar:	-
voltaje - prueba:	-
clasificación actual (amperios):	-
figura de ruido:	-
corriente - prueba:	-
Salida de potencia:	-
voltaje - nominal:	-
paquete / caja:	-
paquete de dispositivos del proveedor:	-

STAC2942BW	TRANS RF PWR N-CH 350W STAC244B	906 Más sobre el pedido
BLC8G27LS-210PVY	RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12513	896 Más sobre el pedido
BF904A,215	MOSFET N-CH 7V 30MA SOT143	3803 Más sobre el pedido
BF2040E6814	RF N-CHANNEL MOSFET	10736 Más sobre el pedido
BLM7G1822S-80PBGY	RF FET LDMOS 65V 28DB SOT12122	927 Más sobre el pedido
MRF6VP3091NBR1	FET RF 2CH 115V 860MHZ TO272-4	968 Más sobre el pedido
BLS7G3135L-350P,11	RF FET LDMOS 65V 10DB SOT539A	909 Más sobre el pedido
BLF9G38LS-90PU	RF FET LDMOS 65V 15DB SOT1121B	854 Más sobre el pedido
NE3512S02-T1C-A	SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET	6316 Más sobre el pedido
WP2806045UH	RF GAN HEMT 28V DC ~ 6GHZ, 45W	952 Más sobre el pedido
NPT1012B	HEMT N-CH 28V 25W DC-4000MHZ	977 Más sobre el pedido
ARF461BG	RF MOSFET N-CH 1000V TO247	896 Más sobre el pedido
CGH40025F	RF MOSFET HEMT 28V 440166	1588 Más sobre el pedido