BLF8G10LS-160,112 | Rochester Electronics BLF8G10LS-160,112 | BLF8G10LS-160,112 Inventory, Best Pricing

BLF8G10LS-160,112

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Número de parte	BLF8G10LS-160,112
LIXINC Part #	BLF8G10LS-160,112
Fabricante	Rochester Electronics
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - rf
Descripción	RF PFET, 1-ELEMENT, ULTRA HIGH F
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	BLF8G10LS-160,112 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

BLF8G10LS-160,112 Especificaciones

Número de parte:	BLF8G10LS-160,112
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - rf
Fabricante:	Rochester Electronics
serie:	-
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Active
tipo de transistor:	LDMOS
frecuencia:	920MHz ~ 960MHz
ganar:	19.7dB
voltaje - prueba:	30 V
clasificación actual (amperios):	5µA
figura de ruido:	-
corriente - prueba:	1.1 A
Salida de potencia:	35W
voltaje - nominal:	65 V
paquete / caja:	SOT-502B
paquete de dispositivos del proveedor:	SOT502B

BLF7G10LS-250,112	N-CHANNEL, MOSFET	995 Más sobre el pedido
BLD6G21L-50,112	RF TRANSISTOR	865 Más sobre el pedido
BLF6G20LS-110,112	RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502B	800 Más sobre el pedido
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BLL1214-250	RF PFET, 1-ELEMENT, L BAND, SILI	863 Más sobre el pedido
BLS6G2735LS-30,112	RF FET LDMOS 60V 13DB SOT1135B	993 Más sobre el pedido
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SD2931-12MR	IC TRANS RF/VHF DMOS M174MR	990 Más sobre el pedido