WP2806008UH

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Número de parte	WP2806008UH
LIXINC Part #	WP2806008UH
Fabricante
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - rf
Descripción	RF GAN HEMT 28V DC ~ 6GHZ, 8W
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	WP2806008UH Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 07 - Oct 11 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

WP2806008UH Especificaciones

Número de parte:	WP2806008UH
Marca:
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - rf
Fabricante:
serie:	-
paquete:	Box
estado de la pieza:	Active
tipo de transistor:	GaN HEMT
frecuencia:	6GHz
ganar:	11dB
voltaje - prueba:	28 V
clasificación actual (amperios):	-
figura de ruido:	-
corriente - prueba:	70 mA
Salida de potencia:	6W
voltaje - nominal:	160 V
paquete / caja:	360BH
paquete de dispositivos del proveedor:	360BH

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