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BF5030RE6327

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Número de parte	BF5030RE6327
LIXINC Part #	BF5030RE6327
Fabricante	Rochester Electronics
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - rf
Descripción	N-CHANNEL POWER MOSFET
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	BF5030RE6327 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 08 - Oct 12 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

BF5030RE6327 Especificaciones

Número de parte:	BF5030RE6327
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - rf
Fabricante:	Rochester Electronics
serie:	-
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Active
tipo de transistor:	N-Channel
frecuencia:	800MHz
ganar:	24dB
voltaje - prueba:	3 V
clasificación actual (amperios):	25mA
figura de ruido:	1.3dB
corriente - prueba:	10 mA
Salida de potencia:	-
voltaje - nominal:	8 V
paquete / caja:	SOT-143R
paquete de dispositivos del proveedor:	PG-SOT143R-4

MRF1K50GNR5	RF MOSFET LDMOS 50 OM1230G	987 Más sobre el pedido
BLP0427M9S20Z	BLP0427M9S20Z/SOT1482/REELDP	986 Más sobre el pedido
IRF225	N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET	1217 Más sobre el pedido
A2I20H060GNR1	IC TRANS RF LDMOS	1371 Más sobre el pedido
IRFAE20	N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET	978 Más sobre el pedido
MRFE6VP6300GSR5	FET RF 50V 600MHZ NI780-4	898 Más sobre el pedido
BF998E6327HTSA1	MOSFET N-CH 12V 200MA SOT-143	8751 Más sobre el pedido
SCH2822-TL-E	PCH+SBD 2.5V DRIVE SERIES	285827 Más sobre el pedido
VRF151	MOSFET RF PWR N-CH 50V 150W M174	848 Más sobre el pedido
BLM8G0710S-45ABY	RF FET LDMOS 65V 35DB SOT12112	1153 Más sobre el pedido
BLF182XRSU	RF FET LDMOS 135V 28DB SOT1121B	989 Más sobre el pedido
CGH27030F	RF MOSFET HEMT 28V 440166	1101 Más sobre el pedido
AFV10700HSR5	RF MOSFET LDMOS DL 50V NI780S-4L	987 Más sobre el pedido