MW6S004NT1 | NXP Semiconductors MW6S004NT1 | MW6S004NT1 Inventory, Best Pricing

MW6S004NT1

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Número de parte	MW6S004NT1
LIXINC Part #	MW6S004NT1
Fabricante	NXP Semiconductors
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - rf
Descripción	FET RF 68V 1.96GHZ PLD-1.5
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	MW6S004NT1 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 08 - Oct 12 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

MW6S004NT1 Especificaciones

Número de parte:	MW6S004NT1
Marca:	NXP Semiconductors
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - rf
Fabricante:	NXP Semiconductors
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de transistor:	LDMOS
frecuencia:	1.96GHz
ganar:	18dB
voltaje - prueba:	28 V
clasificación actual (amperios):	-
figura de ruido:	-
corriente - prueba:	50 mA
Salida de potencia:	4W
voltaje - nominal:	68 V
paquete / caja:	PLD-1.5
paquete de dispositivos del proveedor:	PLD-1.5

MCH6655-TL-E	PCH+PCH 4V DRIVE SERIES	3930 Más sobre el pedido
MRF7S21110HR3	FET RF 65V 2.17GHZ NI-780	886 Más sobre el pedido
BLF1721M8LS200U	RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502B	935 Más sobre el pedido
BLF189XRAU	BLF189XRA/SOT539/TRAY	1018 Más sobre el pedido
IXZ210N50L2	RF MOSFET N-CHANNEL DE275	973 Más sobre el pedido
PTVA127002EV-V1	700W SI LDMOS, 50V, 1200-1400MHZ	986 Más sobre el pedido
GTVA123501FA-V1-R0	350W GAN HEMT 50V 1.2-1.4GHZ FET	897 Más sobre el pedido
BLA6H1011-600,112	RF PFET, 2-ELEMENT, L BAND, SILI	868 Más sobre el pedido
BLS9G3135L-115U	BLS9G3135L-115/SOT1135/TRAY	1018 Más sobre el pedido
BLP05H6150XRY	RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12232	1065 Más sobre el pedido
MMRF1304NR1	FET RF 133V 512MHZ TO270-2	811 Más sobre el pedido
BLF7G22LS-160,112	RF PFET, 1-ELEMENT, S BAND, SILI	891 Más sobre el pedido
MMRF1006HR5	RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR	990 Más sobre el pedido