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2SJ637-E

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Número de parte	2SJ637-E
LIXINC Part #	2SJ637-E
Fabricante	Rochester Electronics
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - rf
Descripción	PCH 4V DRIVE SERIES
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	2SJ637-E Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 06 - Oct 10 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

2SJ637-E Especificaciones

Número de parte:	2SJ637-E
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - rf
Fabricante:	Rochester Electronics
serie:	*
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Active
tipo de transistor:	-
frecuencia:	-
ganar:	-
voltaje - prueba:	-
clasificación actual (amperios):	-
figura de ruido:	-
corriente - prueba:	-
Salida de potencia:	-
voltaje - nominal:	-
paquete / caja:	-
paquete de dispositivos del proveedor:	-

BLF888A,112	RF FET LDMOS 110V 21DB SOT539A	963 Más sobre el pedido
AFT09MS031NR1	FET RF 40V 870MHZ TO-270-2	1301 Más sobre el pedido
BLF6G27-75,112	RF TRANSISTOR	994 Más sobre el pedido
NE3513M04-T2B-A	SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET	4860996 Más sobre el pedido
BLC10G15XS-301AVTZ	BLC10G15XS-301AVT/SOT1275/TRAYDP	952 Más sobre el pedido
BLA1011-2,112	RF FET LDMOS 75V 16DB SOT538A	863 Más sobre el pedido
BF511,215	JFET N-CH 20V 30MA SOT23	997 Más sobre el pedido
MRF136	FET RF 65V 400MHZ 211-07	1094 Más sobre el pedido
MMRF1312GSR5	TRANS 960-1215MHZ 1000W PEAK 50V	913 Más sobre el pedido
PD55035-E	FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10	978 Más sobre el pedido
BLM7G1822S-80ABY	RF FET LDMOS 65V 31DB SOT12111	1007 Más sobre el pedido
CGHV60075D5-GP4	RF MOSFET HEMT 50V DIE	994 Más sobre el pedido
3SK291(TE85L,F)	MOSFET N-CH SMQ	1035 Más sobre el pedido