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WP28020015

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Número de parte	WP28020015
LIXINC Part #	WP28020015
Fabricante
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - rf
Descripción	RF GAN HEMT 28V DIE DC~20GHZ, 15
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	WP28020015 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 07 - Oct 11 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

WP28020015 Especificaciones

Número de parte:	WP28020015
Marca:
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - rf
Fabricante:
serie:	-
paquete:	Box
estado de la pieza:	Active
tipo de transistor:	GaN HEMT
frecuencia:	15GHz
ganar:	10dB
voltaje - prueba:	28 V
clasificación actual (amperios):	880mA
figura de ruido:	-
corriente - prueba:	300 mA
Salida de potencia:	15W
voltaje - nominal:	28 V
paquete / caja:	Die
paquete de dispositivos del proveedor:	Die

BLA6H0912-500,112	RF FET LDMOS 100V 17DB SOT634A	908 Más sobre el pedido
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CGHV14250F	RF MOSFET HEMT 50V 440162	1039 Más sobre el pedido
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