A2I25H060NR1 | NXP Semiconductors A2I25H060NR1 | A2I25H060NR1 Inventory, Best Pricing

A2I25H060NR1

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Número de parte	A2I25H060NR1
LIXINC Part #	A2I25H060NR1
Fabricante	NXP Semiconductors
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - rf
Descripción	IC RF LDMOS AMP
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	A2I25H060NR1 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 08 - Oct 12 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

A2I25H060NR1 Especificaciones

Número de parte:	A2I25H060NR1
Marca:	NXP Semiconductors
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - rf
Fabricante:	NXP Semiconductors
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)
estado de la pieza:	Active
tipo de transistor:	LDMOS (Dual)
frecuencia:	2.59GHz
ganar:	26.1dB
voltaje - prueba:	28 V
clasificación actual (amperios):	-
figura de ruido:	-
corriente - prueba:	26 mA
Salida de potencia:	10.5W
voltaje - nominal:	65 V
paquete / caja:	TO-270-17 Variant, Flat Leads
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-270WB-17

IGN1011L70	GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND	842 Más sobre el pedido
BLF8G24LS-100GVJ	RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244C	939 Más sobre el pedido
MRF101AN	RF TRANSISTOR 100W TO-220	1021 Más sobre el pedido
MRF8P23080HSR5	FET RF 2CH 65V 2.3GHZ NI780S-4	823 Más sobre el pedido
MRFE6S9045NR1	FET RF 66V 880MHZ TO-270-2	1590 Más sobre el pedido
CGHV96130F	100W GAN HEMT 7.9-9.6GHZ 50-OHM	938 Más sobre el pedido
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CLF1G0035-100PU	RF MOSFET HEMT 50V LDMOST	863 Más sobre el pedido
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