MHE1003NR3

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Número de parte	MHE1003NR3
LIXINC Part #	MHE1003NR3
Fabricante	NXP Semiconductors
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - rf
Descripción	RF POWER LDMOS TRANSISTOR FOR CO
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	MHE1003NR3 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 25 - Oct 29 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
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Envío

MHE1003NR3 Especificaciones

Número de parte:	MHE1003NR3
Marca:	NXP Semiconductors
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - rf
Fabricante:	NXP Semiconductors
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de transistor:	LDMOS
frecuencia:	2.4GHz ~ 2.5GHz
ganar:	14.1dB
voltaje - prueba:	28 V
clasificación actual (amperios):	10µA
figura de ruido:	-
corriente - prueba:	50 mA
Salida de potencia:	53dBm
voltaje - nominal:	65 V
paquete / caja:	OM-780-2
paquete de dispositivos del proveedor:	OM-780-2

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