BG3123RE6327HTSA1 | IR (Infineon Technologies) BG3123RE6327HTSA1 | BG3123RE6327HTSA1 Inventory, Best Pricing

BG3123RE6327HTSA1

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	BG3123RE6327HTSA1
LIXINC Part #	BG3123RE6327HTSA1
Fabricante	IR (Infineon Technologies)
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - rf
Descripción	MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	BG3123RE6327HTSA1 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 25 - Oct 29 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

BG3123RE6327HTSA1 Especificaciones

Número de parte:	BG3123RE6327HTSA1
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - rf
Fabricante:	IR (Infineon Technologies)
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de transistor:	2 N-Channel (Dual)
frecuencia:	800MHz
ganar:	25dB
voltaje - prueba:	5 V
clasificación actual (amperios):	25mA, 20mA
figura de ruido:	1.8dB
corriente - prueba:	14 mA
Salida de potencia:	-
voltaje - nominal:	8 V
paquete / caja:	6-VSSOP, SC-88, SOT-363
paquete de dispositivos del proveedor:	PG-SOT363-6