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2SJ615-TD-E

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Número de parte	2SJ615-TD-E
LIXINC Part #	2SJ615-TD-E
Fabricante	Rochester Electronics
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - rf
Descripción	PCH 4V DRIVE SERIES
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	2SJ615-TD-E Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 21 - Oct 25 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

2SJ615-TD-E Especificaciones

Número de parte:	2SJ615-TD-E
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - rf
Fabricante:	Rochester Electronics
serie:	*
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Active
tipo de transistor:	-
frecuencia:	-
ganar:	-
voltaje - prueba:	-
clasificación actual (amperios):	-
figura de ruido:	-
corriente - prueba:	-
Salida de potencia:	-
voltaje - nominal:	-
paquete / caja:	-
paquete de dispositivos del proveedor:	-

2SK1740-5-TB-E-ON	N-CHANNEL JUNCTION SILICON FET	95285 Más sobre el pedido
MRF21085R3	N-CHANNEL POWER MOSFET	973 Más sobre el pedido
PXFC193808SVV1R250XTMA1	IC AMP RF LDMOS	802 Más sobre el pedido
EC4307KF-TR	PCH 1.8V DRIVE SERIES	32849 Más sobre el pedido
2SK777U1-FRN	NCH J-FET	928 Más sobre el pedido
IGN2729M400R2	GAN, RF POWER TRANSISTOR, S-BAND	815 Más sobre el pedido
MRF8S19260HSR6	RF 2-ELEMENT, L BAND, N-CHANNEL	994 Más sobre el pedido
SD2931-15W	IC RF TRANSISTOR 15W DMOS	923 Más sobre el pedido
GTRA362802FC-V1-R0	280W, GAN HEMT, 48V, 3400-3600MH	941 Más sobre el pedido
2SK2464-TL-E	NCH 10V DRIVE SERIES	12909 Más sobre el pedido
PXAC201202FC-V2-R0	IC AMP RF LDMOS H-37248-4	971 Más sobre el pedido
A2T21H140-24SR3	RF MOSFET LDMOS DUAL 28V OM780-4	932 Más sobre el pedido
MMRF1320NR1	TRANS 1.8--600MHZ 150W CW 50V	938 Más sobre el pedido

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