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2SJ580-TD-E

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Número de parte	2SJ580-TD-E
LIXINC Part #	2SJ580-TD-E
Fabricante	Rochester Electronics
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - rf
Descripción	PCH 4V DRIVE SERIES
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	2SJ580-TD-E Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 22 - Oct 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

2SJ580-TD-E Especificaciones

Número de parte:	2SJ580-TD-E
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - rf
Fabricante:	Rochester Electronics
serie:	*
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Active
tipo de transistor:	-
frecuencia:	-
ganar:	-
voltaje - prueba:	-
clasificación actual (amperios):	-
figura de ruido:	-
corriente - prueba:	-
Salida de potencia:	-
voltaje - nominal:	-
paquete / caja:	-
paquete de dispositivos del proveedor:	-

PXAE183708NB-V1-R2	320W, SI LDMOS, 28V, 1805-1880MH	869 Más sobre el pedido
AFT26H160-4S4R3	FET RF 2CH 65V 2.5GHZ NI880X-4	927 Más sobre el pedido
3LN02M-TL-E	NCH 1.5V DRIVE SERIES	102879 Más sobre el pedido
MWT-PH9F	MED POWER ALGAAS/INGAAS PHEMT	959 Más sobre el pedido
NTD3055AVT4	NFET DPAK 60V 0.15R TR	5987 Más sobre el pedido
AFT20P060-4GNR3	FET RF 2CH 65V 2.17GHZ OM780-4GW	892 Más sobre el pedido
NTD4860NT4H	NFET DPAK 25V 65A 0.0075R	13412 Más sobre el pedido
2SK3720-5-TB-E	N-CHANNEL MOSFET	19956 Más sobre el pedido
2SJ633-TL-E	PCH 4V DRIVE SERIES	11820 Más sobre el pedido
2SJ485-E	PCH 4V DRIVE SERIES	19205 Más sobre el pedido
BLP9LA25SZ	BLP9LA25S/SOT1482/REELDP	843 Más sobre el pedido
MMRF2011NT1	SINGLE W-CDMA RF LDMOS WIDEBAND	814 Más sobre el pedido
A3T23H450W23SR6	AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO	825 Más sobre el pedido

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Qty.	Unit Price	Ext. Price
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