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4MN10MH-TL-E

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Número de parte	4MN10MH-TL-E
LIXINC Part #	4MN10MH-TL-E
Fabricante	Rochester Electronics
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - rf
Descripción	BIP NPN 0.1A 200V
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	4MN10MH-TL-E Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 20 - Oct 24 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

4MN10MH-TL-E Especificaciones

Número de parte:	4MN10MH-TL-E
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - rf
Fabricante:	Rochester Electronics
serie:	*
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Active
tipo de transistor:	-
frecuencia:	-
ganar:	-
voltaje - prueba:	-
clasificación actual (amperios):	-
figura de ruido:	-
corriente - prueba:	-
Salida de potencia:	-
voltaje - nominal:	-
paquete / caja:	-
paquete de dispositivos del proveedor:	-

BLM9D2022-08AMZ	BLM9D2022-08AM/LGA7X7/REELDP	1927 Más sobre el pedido
PH3830DL115	N-CH TRENCHMOS LOGIC LEVEL FET	585832 Más sobre el pedido
VEC2607-TL-E	PCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES	36830 Más sobre el pedido
EFC4601R-M-TR	NCH 2.5V DRIVE SERIES	8180983 Más sobre el pedido
GTVA126001EC-V1-R0	600W GAN HEMT 50V 1.2-1.4GHZ FET	1010 Más sobre el pedido
PXAC261212FC-V1-R250	IC AMP RF LDMOS	846 Más sobre el pedido
A2T21H100-25SR3	IC RF LDMOS TRANS CELL	873 Más sobre el pedido
PTFB182503EL-V1-R250	IC AMP RF LDMOS	992 Más sobre el pedido
50C02SP-AC	BIP NPN 0.5A 50V	13474 Más sobre el pedido
2SJ637-S-TL-E	PCH 4V DRIVE SERIES	28206 Más sobre el pedido
A2T18H160-24SR3	AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO	1446 Más sobre el pedido
BLC10G22LS-240PVTY	RF MOSFET LDMOS 28V SOT1275-3	831 Más sobre el pedido
MRFX1K80NR5578	RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR	893 Más sobre el pedido

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