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A2T18S261W12NR3

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Número de parte A2T18S261W12NR3
LIXINC Part # A2T18S261W12NR3
Fabricante NXP Semiconductors
Categoría semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - rf
Descripción AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
Ciclo vital Activo
RoHS Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD A2T18S261W12NR3 Huella y símbolo de PCB
Almacenes Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada Oct 20 - Oct 24 2024(Elija envío acelerado)
Garantía Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Envío DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

A2T18S261W12NR3 Especificaciones

Número de parte:A2T18S261W12NR3
Marca:NXP Semiconductors
Ciclo vital:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoría:semiconductor discreto
Subcategoría:transistores - fets, mosfets - rf
Fabricante:NXP Semiconductors
serie:-
paquete:Tape & Reel (TR)
estado de la pieza:Obsolete
tipo de transistor:LDMOS
frecuencia:1.805GHz ~ 1.88GHz
ganar:18.2dB
voltaje - prueba:28 V
clasificación actual (amperios):10µA
figura de ruido:-
corriente - prueba:1.5 A
Salida de potencia:280W
voltaje - nominal:65 V
paquete / caja:OM-880X-2L2L
paquete de dispositivos del proveedor:OM-880X-2L2L

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