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PTFA192001EV4R0XTMA1

PTFA192001EV4R0XTMA1
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Número de parte PTFA192001EV4R0XTMA1
LIXINC Part # PTFA192001EV4R0XTMA1
Fabricante IR (Infineon Technologies)
Categoría semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - rf
Descripción RF MOSFET LDMOS 30V H-36260-2
Ciclo vital Activo
RoHS Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD PTFA192001EV4R0XTMA1 Huella y símbolo de PCB
Almacenes Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada Oct 20 - Oct 24 2024(Elija envío acelerado)
Garantía Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Envío DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

PTFA192001EV4R0XTMA1 Especificaciones

Número de parte:PTFA192001EV4R0XTMA1
Marca:IR (Infineon Technologies)
Ciclo vital:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoría:semiconductor discreto
Subcategoría:transistores - fets, mosfets - rf
Fabricante:IR (Infineon Technologies)
serie:-
paquete:Strip
estado de la pieza:Obsolete
tipo de transistor:LDMOS
frecuencia:1.93GHz ~ 1.99GHz
ganar:15.9dB
voltaje - prueba:30 V
clasificación actual (amperios):10µA
figura de ruido:-
corriente - prueba:1.6 A
Salida de potencia:200W
voltaje - nominal:65 V
paquete / caja:2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
paquete de dispositivos del proveedor:H-36260-2

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