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PTAB182002TCV2R250XTMA1

PTAB182002TCV2R250XTMA1
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Número de parte PTAB182002TCV2R250XTMA1
LIXINC Part # PTAB182002TCV2R250XTMA1
Fabricante IR (Infineon Technologies)
Categoría semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - rf
Descripción IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4
Ciclo vital Activo
RoHS Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD PTAB182002TCV2R250XTMA1 Huella y símbolo de PCB
Almacenes Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada Oct 22 - Oct 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Envío DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

PTAB182002TCV2R250XTMA1 Especificaciones

Número de parte:PTAB182002TCV2R250XTMA1
Marca:IR (Infineon Technologies)
Ciclo vital:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoría:semiconductor discreto
Subcategoría:transistores - fets, mosfets - rf
Fabricante:IR (Infineon Technologies)
serie:-
paquete:Tape & Reel (TR)
estado de la pieza:Obsolete
tipo de transistor:LDMOS
frecuencia:1.805GHz ~ 1.88GHz
ganar:14.8dB
voltaje - prueba:28 V
clasificación actual (amperios):10µA
figura de ruido:-
corriente - prueba:520 mA
Salida de potencia:29W
voltaje - nominal:65 V
paquete / caja:H-49248H-4
paquete de dispositivos del proveedor:H-49248H-4

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