NVMYS025N06CLTWG | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NVMYS025N06CLTWG

NVMYS025N06CLTWG

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Número de parte	NVMYS025N06CLTWG
LIXINC Part #	NVMYS025N06CLTWG
Fabricante	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 60V 8.5A/21A 4LFPAK
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	NVMYS025N06CLTWG Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 08 - Oct 12 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

NVMYS025N06CLTWG Especificaciones

Número de parte:	NVMYS025N06CLTWG
Marca:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:	Automotive, AEC-Q101
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	60 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	8.5A (Ta), 21A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	4.5V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	27.5mOhm @ 7.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	2V @ 13µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	5.8 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	330 pF @ 25 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	3.8W (Ta), 24W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	4-LFPAK
paquete / caja:	SOT-1023, 4-LFPAK