IMZ120R045M1XKSA1 | IR (Infineon Technologies) IMZ120R045M1XKSA1 | IMZ120R045M1XKSA1 Inventory, Best Pricing

IMZ120R045M1XKSA1

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	IMZ120R045M1XKSA1
LIXINC Part #	IMZ120R045M1XKSA1
Fabricante	IR (Infineon Technologies)
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	SICFET N-CH 1200V 52A TO247-4
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	IMZ120R045M1XKSA1 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 10 - Oct 14 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

IMZ120R045M1XKSA1 Especificaciones

Número de parte:	IMZ120R045M1XKSA1
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	IR (Infineon Technologies)
serie:	CoolSiC™
paquete:	Tray
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	SiCFET (Silicon Carbide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	1200 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	52A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	15V
rds en (máx.) @ id, vgs:	59mOhm @ 20A, 15V
vgs(th) (máx) @ id:	5.7V @ 10mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	52 nC @ 15 V
vgs (máx.):	+20V, -10V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	1900 pF @ 800 V
característica fet:	Current Sensing
disipación de potencia (máx.):	228W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:	PG-TO247-4-1
paquete / caja:	TO-247-4