BSC037N08NS5TATMA1 | IR (Infineon Technologies) BSC037N08NS5TATMA1 | BSC037N08NS5TATMA1 Inventory, Best Pricing

BSC037N08NS5TATMA1

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Número de parte	BSC037N08NS5TATMA1
LIXINC Part #	BSC037N08NS5TATMA1
Fabricante	IR (Infineon Technologies)
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 80V 22A/100A TDSON
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	BSC037N08NS5TATMA1 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 10 - Oct 14 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

BSC037N08NS5TATMA1 Especificaciones

Número de parte:	BSC037N08NS5TATMA1
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	IR (Infineon Technologies)
serie:	OptiMOS™ 5
paquete:	Tape & Reel (TR)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	80 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	22A (Ta), 100A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	6V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	3.7mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	3.8V @ 72µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	58 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	4200 pF @ 40 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	3W (Ta), 136W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	PG-TDSON-8-7
paquete / caja:	8-PowerTDFN