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IRFL4105PBF

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Número de parte	IRFL4105PBF
LIXINC Part #	IRFL4105PBF
Fabricante	Rochester Electronics
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	IRFL4105PBF Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 11 - Oct 15 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

IRFL4105PBF Especificaciones

Número de parte:	IRFL4105PBF
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Rochester Electronics
serie:	HEXFET®
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	55 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	3.7A (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	45mOhm @ 3.7A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	4V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	35 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	660 pF @ 25 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	SOT-223
paquete / caja:	TO-261-4, TO-261AA

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