AIMW120R045M1XKSA1 | IR (Infineon Technologies) AIMW120R045M1XKSA1 | AIMW120R045M1XKSA1 Inventory, Best Pricing

AIMW120R045M1XKSA1

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	AIMW120R045M1XKSA1
LIXINC Part #	AIMW120R045M1XKSA1
Fabricante	IR (Infineon Technologies)
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	TRANS SJT N-CH 1200V 52A TO247-3
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	AIMW120R045M1XKSA1 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 07 - Oct 11 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

AIMW120R045M1XKSA1 Especificaciones

Número de parte:	AIMW120R045M1XKSA1
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	IR (Infineon Technologies)
serie:	Automotive, AEC-Q101, CoolSiC™
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	1200 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	52A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	-
rds en (máx.) @ id, vgs:	59mOhm @ 20A, 15V
vgs(th) (máx) @ id:	5.7V @ 10mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	57 nC @ 15 V
vgs (máx.):	+20V, -7V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	2130 pF @ 800 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	228W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:	PG-TO247-3
paquete / caja:	TO-247-3