FDN028N20 | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FDN028N20

FDN028N20

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	FDN028N20
LIXINC Part #	FDN028N20
Fabricante	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 20V 6.1A SUPERSOT3
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	FDN028N20 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 08 - Oct 12 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

FDN028N20 Especificaciones

Número de parte:	FDN028N20
Marca:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	20 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	6.1A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	2.5V, 4.5V
rds en (máx.) @ id, vgs:	28mOhm @ 5.2A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id:	1.5V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	6 nC @ 4.5 V
vgs (máx.):	±12V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	600 pF @ 10 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	1.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	SuperSOT-3
paquete / caja:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3