TK12A60D(STA4,Q,M) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TK12A60D(STA4,Q,M) | TK12A60D(STA4,Q,M) Inventory, Best Pricing

TK12A60D(STA4,Q,M)

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Número de parte	TK12A60D(STA4,Q,M)
LIXINC Part #	TK12A60D(STA4,Q,M)
Fabricante	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 600V 12A TO220SIS
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	TK12A60D(STA4,Q,M) Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 09 - Oct 13 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

TK12A60D(STA4,Q,M) Especificaciones

Número de parte:	TK12A60D(STA4,Q,M)
Marca:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:	π-MOSVII
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	600 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	12A (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	550mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	4V @ 1mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	38 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±30V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	1800 pF @ 25 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	45W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-220SIS
paquete / caja:	TO-220-3 Full Pack

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