TSM080N03EPQ56 RLG | TSC (Taiwan Semiconductor) TSM080N03EPQ56 RLG | TSM080N03EPQ56 RLG Inventory, Best Pricing

TSM080N03EPQ56 RLG

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Número de parte	TSM080N03EPQ56 RLG
LIXINC Part #	TSM080N03EPQ56 RLG
Fabricante	TSC (Taiwan Semiconductor)
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 30V 55A 8PDFN
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	TSM080N03EPQ56 RLG Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 09 - Oct 13 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

TSM080N03EPQ56 RLG Especificaciones

Número de parte:	TSM080N03EPQ56 RLG
Marca:	TSC (Taiwan Semiconductor)
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	TSC (Taiwan Semiconductor)
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	30 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	55A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	4.5V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	8mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	2.5V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	7.5 nC @ 4.5 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	750 pF @ 25 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	54W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	8-PDFN (5x6)
paquete / caja:	8-PowerTDFN