FQT13N06LTF | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FQT13N06LTF

FQT13N06LTF

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	FQT13N06LTF
LIXINC Part #	FQT13N06LTF
Fabricante	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT223-4
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	FQT13N06LTF Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 10 - Oct 14 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

FQT13N06LTF Especificaciones

Número de parte:	FQT13N06LTF
Marca:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:	QFET®
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	60 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	2.8A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	5V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	110mOhm @ 1.4A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	2.5V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	6.4 nC @ 5 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	350 pF @ 25 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	2.1W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	SOT-223-4
paquete / caja:	TO-261-4, TO-261AA