CSD25211W1015 | Texas Instruments CSD25211W1015 | CSD25211W1015 Inventory, Best Pricing

CSD25211W1015

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Número de parte	CSD25211W1015
LIXINC Part #	CSD25211W1015
Fabricante	Texas Instruments
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	CSD25211W1015 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 10 - Oct 14 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

CSD25211W1015 Especificaciones

Número de parte:	CSD25211W1015
Marca:	Texas Instruments
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Texas Instruments
serie:	NexFET™
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	P-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	20 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	3.2A (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	2.5V, 4.5V
rds en (máx.) @ id, vgs:	33mOhm @ 1.5A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id:	1.1V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	4.1 nC @ 4.5 V
vgs (máx.):	-6V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	570 pF @ 10 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	6-DSBGA (1x1.5)
paquete / caja:	6-UFBGA, DSBGA