STB22N60M6 | STMicroelectronics STB22N60M6 | STB22N60M6 Inventory, Best Pricing

STB22N60M6

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	STB22N60M6
LIXINC Part #	STB22N60M6
Fabricante	STMicroelectronics
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 600V 15A D2PAK
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	STB22N60M6 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 10 - Oct 14 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

STB22N60M6 Especificaciones

Número de parte:	STB22N60M6
Marca:	STMicroelectronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	STMicroelectronics
serie:	MDmesh™ M6
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	600 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	15A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	230mOhm @ 7.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	4.75V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	20 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±25V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	800 pF @ 100 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	130W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	D2PAK
paquete / caja:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB