BUK9Y8R7-60E,115 | Nexperia BUK9Y8R7-60E,115 | BUK9Y8R7-60E,115 Inventory, Best Pricing

BUK9Y8R7-60E,115

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Número de parte	BUK9Y8R7-60E,115
LIXINC Part #	BUK9Y8R7-60E,115
Fabricante	Nexperia
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 60V 86A LFPAK56
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	BUK9Y8R7-60E,115 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 11 - Oct 15 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

BUK9Y8R7-60E,115 Especificaciones

Número de parte:	BUK9Y8R7-60E,115
Marca:	Nexperia
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Nexperia
serie:	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	60 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	86A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	5V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	7.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	2.1V @ 1mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	31 nC @ 5 V
vgs (máx.):	±10V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	4570 pF @ 25 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	147W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	LFPAK56, Power-SO8
paquete / caja:	SC-100, SOT-669