Solo por referencia
Número de parte | SSM3K16CT,L3F |
LIXINC Part # | SSM3K16CT,L3F |
Fabricante | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
Categoría | semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples |
Descripción | MOSFET N-CH 20V 100MA CST3 |
Ciclo vital | Activo |
RoHS | Sin información RoHS |
Modelos EDA/CAD | SSM3K16CT,L3F Huella y símbolo de PCB |
Almacenes | Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong |
Entrega estimada | Jul 03 - Jul 07 2024(Elija envío acelerado) |
Garantía | Hasta 1 año [Garantía limitada]* |
Pago | ![]() |
Envío | ![]() |
Número de parte: | SSM3K16CT,L3F |
Marca: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
Ciclo vital: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoría: | semiconductor discreto |
Subcategoría: | transistores - fets, mosfets - simples |
Fabricante: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
serie: | π-MOSIV |
paquete: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
estado de la pieza: | Active |
tipo de feto: | N-Channel |
tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
voltaje de drenaje a fuente (vdss): | 20 V |
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c: | 100mA (Ta) |
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado): | 1.5V, 4V |
rds en (máx.) @ id, vgs: | 3Ohm @ 10mA, 4V |
vgs(th) (máx) @ id: | 1.1V @ 100µA |
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs: | - |
vgs (máx.): | ±10V |
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds: | 9.3 pF @ 3 V |
característica fet: | - |
disipación de potencia (máx.): | 100mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento: | 150°C |
Tipo de montaje: | Surface Mount |
paquete de dispositivos del proveedor: | CST3 |
paquete / caja: | SC-101, SOT-883 |
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En stock | 12913 - Más sobre el pedido |
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Límite de cotización | Sin límite |
Tiempo de espera | Para ser confirmado |
Mínimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.33000 | $0.33 |
10000 | $0.04032 | $403.2 |
30000 | $0.03795 | $1138.5 |
50000 | $0.03558 | $1779 |
100000 | $0.03321 | $3321 |
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