NTMFS4841NHT1G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NTMFS4841NHT1G

NTMFS4841NHT1G

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Número de parte	NTMFS4841NHT1G
LIXINC Part #	NTMFS4841NHT1G
Fabricante	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 30V 8.6A/59A 5DFN
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	NTMFS4841NHT1G Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Jul 05 - Jul 09 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

NTMFS4841NHT1G Especificaciones

Número de parte:	NTMFS4841NHT1G
Marca:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	30 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	8.6A (Ta), 59A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	4.5V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	7mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	2.5V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	33 nC @ 11.5 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	2113 pF @ 12 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	870mW (Ta), 41.7W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
paquete / caja:	8-PowerTDFN, 5 Leads